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[发明专利]一种基于二硫化钼为载体的光电池制备方法-CN202110138233.8在审
发明人：江旻珊;刘熠翕;张学典 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于二硫化钼为载体的光电池制备方法，包括以下步骤：将块状二硫化钼进行机械剥离，得到二硫化钼制备样品；对二硫化钼制备样品进行表面制绒，得到具有绒面的二硫化钼；对具有绒面的二硫化钼进行扩散制结，形成二硫化钼P‑N结，得到二硫化钼太阳能电池，并对二硫化钼太阳能电池边缘的掺杂硅进行等离子刻蚀，得到刻蚀后的二硫化钼太阳能电池；对刻蚀后的二硫化钼太阳能电池进行镀减反射膜，对镀膜后二硫化钼太阳能电池进行丝网印刷，得到含有电极的二硫化钼太阳能电池；对含有电极的二硫化钼太阳能电池，进行快速烧结，得到烧结后的二硫化钼太阳能电池。
一种基于二硫化钼载体光电池制备方法

[发明专利]二硫化钼半导体的欧姆接触结构及其制备方法-CN202010284778.5在审
发明人：曾祥斌;曾薏蓉;王士博;鲁基昌;陆晶晶;胡一说;王文照;肖永红;袁俊茹;周宇飞;王君豪;王曦雅 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼半导体的欧姆接触结构及其制备方法，二硫化钼半导体的欧姆接触结构，包括：基片、二硫化钼薄膜、掺杂二硫化钼薄膜、第一电极与第二电极；所述二硫化钼薄膜位于所述基片的一侧，所述掺杂二硫化钼薄膜形成于所述二硫化钼薄膜的与所述基片相背的一侧，所述第一电极设于所述掺杂二硫化钼薄膜的与所述二硫化钼薄膜相背的一侧，且与所述掺杂二硫化钼薄膜接触，所述第二电极设于所述第一电极的与所述掺杂二硫化钼薄膜相背的一侧，所述第一电极与所述第二电极为不同材料的金属
二硫化钼半导体欧姆接触结构及其制备方法

[发明专利]一种制备二硫化钼溅射靶材的方法-CN201711140433.7有效
发明人：席莎;崔玉青;李晶;王娜;安耿;武洲;朱琦 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备二硫化钼溅射靶材的方法，该方法包括：一、将二硫化钼原料粉末进行低压压制处理，得到二硫化钼坯料；二、将二硫化钼坯料在惰性气体保护下进行球磨，得到二硫化钼粉末；三、将二硫化钼粉末装入胶套内进行冷等静压处理，得到二硫化钼成形坯料；四、将二硫化钼成形坯料装入包套中，抽真空焊封后进行热等静压烧结处理，再除去包套，得到二硫化钼靶材粗品；五、将二硫化钼靶材粗品进行机械加工和清洗，得到二硫化钼溅射靶材。本发明采用低压压制和球磨工艺，将二硫化钼原料粉末由不规则片状结构转变为类球形颗粒状结构，提高了粉末的可压性，增强了粉末之间的结合力，改善了二硫化钼溅射靶材的质量。
二硫化钼溅射靶材二硫化钼粉末二硫化钼靶成形坯料低压压制原料粉末包套粗品坯料装入惰性气体保护热等静压烧结类球形颗粒机械加工冷等静压片状结构球磨工艺不规则抽真空结合力可压性焊封胶套球磨制备清洗

[实用新型]二硫化钼条带结构可调太赫兹波功分器-CN201620682542.6有效
发明人：吴爽 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二硫化钼条带结构可调太赫兹波功分器。它包括第一二硫化钼条带、第二二硫化钼条带、第三二硫化钼条带、第四二硫化钼条带、第五二硫化钼条带、二氧化硅层、基底层、信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端；基底层的上层为二氧化硅层，二氧化硅层上铺有第一二硫化钼条带、第二二硫化钼条带、第三二硫化钼条带、第四二硫化钼条带、第五二硫化钼条带；通过调节施加在第二二硫化钼条带与基底层、第三二硫化钼条带与基底层的偏置直流电源电压，调节二硫化钼片的有效介电常数，实现太赫兹信号可调功分
二硫化钼条带结构可调赫兹波功分器

[发明专利]一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用-CN202210197272.X在审
发明人：蒲吉斌;范昕;王海新;史彦斌;杨敏 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/铜/二硫化钼梯度过渡层和二硫化钼/铜掺杂层，获得二硫化钼/铜复合薄膜，之后进行硫化处理，制得硫化二硫化钼/铜复合薄膜。本发明提供的硫化二硫化钼/铜复合薄膜利用二硫化钼薄膜低摩擦特性的同时，采用二硫化钼和铜共溅射形成有效掺杂，提高了薄膜的摩擦学性能，并且二硫化钼和硫化铜的低摩擦磨损具有协同作用，有利于提高硫化二硫化钼/铜复合薄膜的耐磨性
一种硫化二硫化钼复合薄膜制备方法应用

[发明专利]一种硫醇修饰二硫化钼复合材料及其制备方法-CN201910311112.1在审
发明人：尚岩;沈沉 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：一种硫醇修饰二硫化钼复合材料及其制备方法，它涉及一种硫醇修饰二硫化钼复合材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有二硫化钼表面没有官能团，导致不易于被加工应用的问题。一种硫醇修饰二硫化钼复合材料，其特征在于表面含烷基二硫化钼由无机溶剂、锂插层二硫化钼和硫醇制备而成；制备方法：一、制备得到硫醇/水分散液；二、向锂插层二硫化钼滴加硫醇/水分散液，得到反应产物；三、对反应产物进行分离处理，即得硫醇修饰二硫化钼复合材料。本发明优点：对二硫化钼进行修饰，大量引入烷基，增加二硫化钼的活性点，提高其电导性能。本发明主要用于制备硫醇修饰二硫化钼复合材料。
二硫化钼硫醇修饰制备复合材料烷基水分散液锂插层分离处理加工应用无机溶剂活性点滴加电导引入

[发明专利]一种二硫化钼靶材的制备方法-CN201711139374.1有效
发明人：崔玉青;席莎;安耿;李晶;朱琦;王娜;武洲 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼靶材的制备方法，该方法包括以下步骤：一、将二硫化钼粉末进行真空低温热处理；二、将真空低温热处理后的二硫化钼粉末进行保护气氛热压烧结，得到二硫化钼坯料；三、将二硫化钼坯料进行机械加工和清洗，最终得到二硫化钼靶材。本发明直接采用保护气氛热压烧结法制备二硫化钼靶材，一次成型，无需对二硫化钼粉末进行球磨或压制粗坯，缩短了工艺流程，避免了二硫化钼的分解，提高了生产效率和靶材的致密度；该方法得到的二硫化钼靶材的质量纯度和密度均较高
二硫化钼靶二硫化钼粉末二硫化钼热处理热压烧结真空低温坯料制备规模化生产机械加工生产效率形状可控一次成型质量纯度工艺流程靶材粗坯球磨清洗压制分解

[发明专利]二硫化钼铒单晶材料的制备方法、单层二硫化钼铒单晶材料和用途-CN202310175628.4在审
发明人：冯晴亮;张文斌;王肖剑;刘赟 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及二硫化钼铒单晶材料的制备方法、单层二硫化钼铒单晶材料和用途。单层二硫化钼铒单晶材料中，单晶晶体中含有硫元素、钼元素和铒元素；所述二硫化钼铒单晶合金的晶体中，部分硫元素与铒元素形成共价键，部分硫元素与钼元素形成共价键，部分硫元素同时与铒元素和钼元素形成共价键。本申请提供的单层二硫化钼铒单晶材料实现了对二硫化钼晶体的改性，将铒元素部分替换到二硫化钼晶体中钼的位置，获得了二硫化钼铒单晶材料，提高了二硫化钼材料的本征电子性质，获得了宽光谱响应。
二硫化钼铒单晶材料制备方法单层用途

[发明专利]一种制备二硫化钼靶材的方法-CN201711140436.0有效
发明人：崔玉青;席莎;武洲;安耿;朱琦;李晶;王娜 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备二硫化钼靶材的方法，该方法包括以下步骤：一、将二硫化钼粉末进行真空低温热处理；二、将真空低温热处理后的二硫化钼粉末进行球磨处理；三、将球磨处理后的二硫化钼粉末压制成二硫化钼坯料；四、将二硫化钼坯料装入包套中，抽真空焊封后进行热等静压处理，除去包套后得到二硫化钼靶材粗品；五、将二硫化钼靶材粗品进行机械加工和清洗，最终得到二硫化钼靶材。本发明依次对二硫化钼粉末进行真空低温热处理和球磨，提高了二硫化钼粉末的质量纯度和可压性，然后采用压制与热等静压相结合的方法，提高了二硫化钼靶材的致密性和质量纯度，降低了热等静压的成型温度和时间，同时扩大了原料的适用范围
一种制备二硫化钼方法

[发明专利]一种溶解二硫化钼的方法-CN201510541076.X有效
发明人：唐军利 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： C22B34/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种溶解二硫化钼的方法，包括以下步骤一、将二硫化钼粉末、THPS和去离子水混合均匀，得到二硫化钼的THPS分散液；二、将二硫化钼的THPS分散液加热至60℃～80℃，然后将氨水作为pH值调节剂滴加到二硫化钼的THPS分散液中，在二硫化钼的THPS分散液的pH值恒定为4.5～6.0的条件下，将双氧水滴加到二硫化钼的THPS分散液中，直至将二硫化钼完全溶解为止。本发明能够有效解决二硫化钼常态下不溶、焙烧时放出二氧化硫有害气体等技术问题，使二硫化钼在常态下发生溶解，并且无有毒有害气体放出，是一种绿色环保工艺，为工业中提取钼提供一种解决途径。
一种溶解二硫化钼方法

[发明专利]一种功能化二硫化钼及其制备方法、光热涂料及其应用-CN202211393758.7在审
发明人：王清淼;余擎宏;冯涛;王黎 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C09C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种功能化二硫化钼及其制备方法、光热涂料及其应用。本发明的功能化二硫化钼的制备方法，包括以下步骤：将二硫化钼纳米片与含巯基的有机物经过反应，即得功能化二硫化钼；其中，含巯基的有机物包括巯基乙酸、硫代甘油、巯基乙胺中的至少一种。本发明的功能化二硫化钼的制备方法，通过官能团改性在二硫化钼表面引入羧基、羟基、氨基三种官能团，再与有机物复合制成涂料，从而低成本、规模化地实现二硫化钼光热应用；功能化二硫化钼操作简单，实现二硫化钼与有机物的结合，为后续涂料化奠定基础；二硫化钼功能化与有机物结合制成涂料用于光热脱盐，实现低成本、绿色高效的二硫化钼光热应用。
一种功能二硫化钼及其制备方法光热涂料应用

[发明专利]一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法-CN201810986245.4有效
发明人：王金斌;张东国;钟向丽;岳少忠 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法，本发明利用胶带作为二硫化钼薄膜转移的支架，聚合物薄膜作为二硫化钼与透明胶的隔离层，二硫化钼薄膜及聚合物薄膜紧紧地附着在胶带上面，减少了二硫化钼薄膜与生长衬底分离时产生的薄膜破碎情况，而且便于二硫化钼薄膜的收集；同时，在转移过程中可以通过转移胶带来实现对二硫化钼薄膜及聚合物薄膜的转移，不会对二硫化钼薄膜造成破坏。此外，本发明将前驱体浸泡于丙酮中实现胶带和聚合物薄膜与二硫化钼薄膜分离，保证了胶带在脱离过程中不会对二硫化钼薄膜造成破坏，有利于实现大面积单层或少层二硫化钼薄膜实现较完整的转移。
一种大面积单层二硫化钼薄膜转移方法

[发明专利]一种层状二硫化钼纳米材料的制备方法-CN201410765201.0无效
发明人：陈远富;郑斌杰;刘兴钊;李萍剑;戚飞;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-02 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供一种层状二硫化钼纳米材料的制备方法，包括如下步骤：将二硫化钼块体加至容器中，加入剥离溶剂，配成二硫化钼分散液；用高剪切乳化机对所述二硫化钼分散液进行液力剪切处理；将经过液力剪切后的二硫化钼分散液进行离心，取离心后的上层悬浮液过滤，真空干燥得到层状二硫化钼纳米薄片；本发明使二硫化钼块体在定、转子狭窄的间隙中受到强烈的综合作用，从而使二硫化钼层与层之间产生晶面水平错位和滑移运动，进而将二硫化钼剥离，最终得到稳定的单层或少数层的二硫化钼薄片；本发明为纯物理方法、工艺简单、成本低、危险性小、剥离率高且绿色环保，所制备的层状二硫化钼纳米薄片的物理性能保持良好，中试放大后适合大规模工业化生产。
一种层状二硫化钼纳米材料制备方法

[实用新型]基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关-CN201621214564.6有效
发明人：王昊卿 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关。它包括开口环形二硫化钼薄膜、左侧矩形二硫化钼薄膜、右侧矩形二硫化钼薄膜、二氧化硅层、基底层、信号输入端、信号输出端；基底层的上层为二氧化硅层，二氧化硅层上铺有开口环形二硫化钼薄膜、左侧矩形二硫化钼薄膜和右侧矩形二硫化钼薄膜；通过调节施加在开口环形二硫化钼薄膜与基底层之间的偏置直流电压，调节开口环形二硫化钼薄膜的有效介电常数，实现太赫兹信号的通断。
基于二硫化钼薄膜结构赫兹开关

[发明专利]一种二硫化钼纳米片改性全氟聚醚油的制备方法-CN201610960538.6在审
发明人：徐志远 -专利权人：上海中真润滑油有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C10M125/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼纳米片改性全氟聚醚油的制备方法，属于改性全氟聚醚油制备领域。通过以下步骤实现（1）剥离二硫化钼；（2）二硫化钼纳米片改性；（3）改性全氟聚醚。本发明首先利用锂离子插层法剥离二硫化钼，生成二硫化钼纳米片，再利用硅烷偶联剂对二硫化钼纳米片进行改性，最后通过超声波协助二硫化钼片分散制得改性的全氟聚醚油，二硫化钼纳米片在全氟聚醚油中分散稳定，并且能显著提高全氟聚醚油的摩擦性能
一种二硫化钼纳米改性全氟聚醚油制备方法

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